질화알루미늄(AlN)은 우수한 열전도성과 절연성을 지닌 중요한 광대역폭 반도체 소재로 고주파 전자소자, LED 패키징, 방열판 등 다양한 분야에 활용되고 있다. 응용 범위. 산질화알루미늄의 제조 공정에는 일반적으로 다음과 같은 방법이 포함됩니다.
1. 가암모니아 분해법:
이것은 산질화알루미늄을 제조하는 데 일반적으로 사용되는 방법입니다. 알루미늄 분말과 암모니아는 고온에서 반응하여 산질화알루미늄을 형성합니다. 반응 과정은 다음과 같습니다:
3Al + NH3 → AlN + 3/2H2
2. 탄화알루미늄과 암모니아의 반응 방법:
탄화알루미늄을 결합합니다. 암모니아는 고온에서 반응하여 산질화알루미늄을 생성합니다. 반응 과정은 다음과 같습니다:
Al4C3 + 12NH3 → 4AlN + 3CH4
3. 직접 질소 가수분해 방법:
가수분해를 통해 질소와 수소가 생성됩니다. 고온 알루미늄 산질화물에서의 반응. 반응 과정은 다음과 같습니다:
2Al + N2 + 3H2O → 2AlN + 3H2
4. 질소 산화 방법:
알루미늄 분말과 질소를 높은 온도에서 반응시킵니다. 온도에 따라 알루미늄 산질화물이 생성됩니다. 반응과정은 다음과 같다.
2Al + N2 → 2AlN
이러한 제조방법 중 가암모니아 분해법과 탄화알루미늄과 암모니아의 반응법이 공업적으로 많이 사용되는 제조방법이다. , 고품질의 산질화알루미늄 재료는 비교적 빠르게 사용될 수 있습니다. 직접 질소 가수분해법과 질소 산화법은 일반적으로 실험실 연구나 소규모 배치 준비에 사용됩니다. 산질화알루미늄을 제조하는 방법의 선택은 주로 재료의 적용 요구사항과 생산 규모에 따라 달라집니다.